【国产5nm碳纳米管研究新突破】北京大学信息科学技术学院彭练矛-张志勇课题组发展了一整高性能碳纳米管CMOS晶体管的无掺杂制备方法。近年来，该课题组通过优化器件结构和制备工艺，首次实现了栅长为10纳米...
【国产5nm碳纳米管研究新突破】北京大学信息科学技术学院彭练矛-张志勇课题组发展了一整高性能碳纳米管CMOS晶体管的无掺杂制备方法。近年来，该课题组通过优化器件结构和制备工艺，首次实现了栅长为10纳米的碳纳米管顶栅CMOS场效应晶体管（对应于5纳米技术节点），p型和n型器件的亚阈值摆幅均为70 mV/DEC。