作者：周源/华尔街见闻
GAI（生成式人工智能技术：Generative Artificial Intelligence）概念股在A股表现反复，但产业链上游热度不减。
无论是智能设备移动端还是服务器，涉及的多规格DDR或DRAM仍在全线涨价。
华尔街见闻从供应链独家获悉，尽管下半年DRAM因HBM需求过高占用产能导致供应可能出现短缺，但存储器龙头公司始于2023年第三季度多规格DRAM价格大幅上涨的趋势将不会延续，“下半年SK海力士DRAM价格上涨幅度将收敛”，供应链人士对华尔街见闻说。
与服务器DRAM（Standard DDR）需求量相比，HBM的需求量更大。SK海力士首席执行官Kwak No-jeong在5月2日的“AI半导体愿景与战略”会上透露，2025年生产的HBM产品已售罄，HBM3E 12-Hi产品样品将于6月发布，今年第三季度开始量产。
DRAM价格大涨推升巨头业绩
GAI技术的市场前景目前表现为杀手级应用缺失，但上游存储器价格连续大幅上涨。
5月2日消息，TrendForce（集邦咨询）将今年第二季度服务器DRAM合约价格预测从最初的3%-8%修正为15%-20%。这标志着自2023年第四季度以来连续第三个季度实现两位数百分比增长。今年4月，所有产品类别的服务器DRAM价格约上涨10%-20%。
本轮DRAM价格上涨，最初是因为下游需求增加，但今年以来，中国台湾地区强震影响超过市场需求；此外，供应链人士表示，“HBM需求量太高，致使行业开始寻求性能替代品，比如DDR5，价格相对更便宜，能耗更低。”
DDR5 DRAM是一种计算机内存技术。与DDR4内存相比，DDR5标准性能更强，功耗更低。
美光（Micron）科技在英伟达GTC 2024大会上展示了最新的256GB单条MCRDIMM DDR5-8800内存模块，这是目前市场上容量最大的单条内存模块：采用DDR5技术，运行速度高达8800MHz，远超现有的DDR4内存模块。
美光科技的这款内存模块，主要为了配合英特尔即将推出的新一代Xeon Scalable Granite Rapids服务器处理器而设计。英特尔这款服务器搭载的Granite Rapids处理器（CPU）采用全新架构，能承载AI负载；配置美光这款内存模块的服务器，内存将高达3T-6T，可轻松实现GAI的训练任务。
JEDEC定义了应用广泛的三类DRAM标准，以满足各种应用的设计要求：标准DDR5、移动DDR（LPDDR）和图形DDR。根据系统要求，DDR5以不同的形式被使用在不同的终端中。
标准DDR面向服务器、云计算、网络、笔记本电脑、台式机和消费类应用，支持更宽的通道宽度、更高的密度和不同的形状尺寸。
据TrendForce预计，HBM3E在三星电子第4代 DRAM工艺中的份额将从今年的30%大幅提升至2025年的70%。三星电子和SK海力士在最近的财报中表示，除了HBM之外，预计下半年其他DRAM产品将出现供应短缺。
实际上，DRAM多个品种的涨幅从去年四季度开始到今年5月，已连续上涨3个季度，累计涨幅高达50%-60%。供应链人士告诉华尔街见闻，“像SK海力士这种DRAM大厂，目前库存仍未能恢复到正常水平，故而海力士下半年DRAM价格上涨幅度并不能延续。”
DRAM价格在最近3个季度的持续大幅上涨，正在给DRAM大厂带来丰厚利润。
4月30日，三星电子公布的2024年第一季度财报显示，三星电子2024年第一季营收为71.9156万亿韩元（约合人民币384.26亿元），高于上一个季度的67.78万亿韩元（约合人民币362.92亿元），较2023年同期的63.75万亿韩元（约合人民币340.23亿元）增长12.82%。
三星电子一季度存储业务营收17.49万亿韩元（约合人民币90.73亿元），环比增长11%，同比暴涨96%，在整体的半导体业务营收当中的占比高达75.58%。
SK海力士今年3月财季的营收达到12.4万亿韩元（约合人民币651.7亿元），高于预期，较上年同期增长144%，为2010年以来最快增速。
海力士台积电联盟再升级
与HBM相比，服务器DDR DARM的需求量就是小巫见大巫。
SK海力士在2025年产的HBM新品已售罄，这是SK海力士首席执行官Kwak No-jeong在5月2日透露的。
更重要的是，Kwak指出，虽然AI产品目前以数据中心（IDC）为中心，但AI技术正在迅速蔓延到智能手机、个人电脑、汽车和其他设备。“专门用于AI应用的超快、大容量、低功耗存储器的需求将激增”，Kwak说。
SK海力士基础设施总裁 Kim Ju-seon指出，“HBM和大容量DRAM模块在2023年约占整个内存市场的5%，预计到2028年将占61%。”
为此，SK海力士准备了包括eSSD和LPDDR5在内的多类产品组合。
eSSD（Enterprise Solid State Drive）是指企业级固态硬盘，这是一种使用闪存作为数据存储介质的存储设备。
与传统的机械硬盘（HDD）相比，eSSD具有更快的数据读写速度、更低的功耗、更小的体积和重量，以及更好的抗震性能。这些特性使得eSSD非常适合用于需要高速数据访问和高可靠性的应用场景，如数据中心、服务器、高性能计算和企业级存储解决方案。
与DRAM不同，HBM相当于先由需求方做出产能预订，再由供应方生产，故而没有像DRAM那样的库存问题，也不存在产能过剩。
在HBM3或HBM3E代际，SK海力士是全球无可争议的技术领导者。实际上，海力士正是通过逆势增加对HBM的投资，故而在今年一季度（3月财季）营业利润超越了三星电子约7亿美元。
此前十年，SK海力士在存储半导体领域排名第二，之后其抓住2022年下半年AI热潮带来的机遇，超越三星电子，坐稳了AI存储领域的第一宝座。
“HBM 技术并不是从天上掉下来的。”Kwak在5月2日的新闻发布会上说，“2012年，当其他公司因内存衰退而削减10%的投资时，我们增加了投资，包括前途未卜的HBM。”
到了HBM4，海力士的技术优势遇到了原先的霸主三星电子强有力的挑战。SK海力士的对策是提高HBM封装技术和做混合键合技术的探索。
SK海力士计划从2028年下半年开始在美国印第安纳州的先进封装制造基地开始量产HBM4，副总裁Choi Woo-jin提到，正在讨论该工厂是否会采用类似于台积电CoWoS的工艺，涉及Nvidia（英伟达）、Apple（苹果）等公司应用的先进芯片封装技术，即2.5D技术。
5月2日，海力士进一步提升了在HBM领域的联盟实力。继4月与台积电签署谅解备忘录（MOU）以联合开发新一代封装技术之后，海力士在5月2日宣布，与英伟达和台积电结成战略联盟，旨在与全球系统半导体和代工合作伙伴作为一个团队开发和供应顶级产品。