第一季度，SK海力士营收达52.6万亿韩元，环比大增60.2%，营业利润37.6万亿韩元，环比接近翻倍，整体业绩与最新市场一致预期基本吻合。
据追风交易台，伯恩斯坦（Bernstein）4月23日报告指出，SK海力士2026年第一季度业绩证明，存储芯片价格强势并非昙花一现。公司明确表示，供应短缺具有结构性特征，当前的有利定价环境将比以往周期持续更长时间。
值得关注的是，受铠侠股权重估收益拉动，净利润高达40.3万亿韩元，环比飙升164.6%，显著超出预期。公司指引显示，第二季度DRAM和NAND出货量均将回升，存储市场景气度有望延续。
展望方面，SK海力士判断HBM（高带宽内存）需求在未来三年将远超自身供给能力，并计划2026年全年资本支出较上年大幅提升。
定价强势，公司判断短缺具结构性
SK海力士第一季度DRAM均价环比上涨中60%区间，NAND均价涨幅则达中70%区间。对比来看，美光同期DRAM均价涨幅同样处于中60%区间，NAND涨幅则在高70%区间，两家公司定价走势高度一致。
SK海力士明确表示，当前存储供应短缺属于结构性问题，客户普遍将确保供应置于压价之上。公司因此判断，强劲定价环境的持续时间将长于以往周期，现货价格的阶段性回落亦不代表本轮周期已见顶。
从利润率角度看，这一判断有据可依：第一季度SK海力士整体毛利率达79.3%，DRAM毛利率升至中80%区间，NAND毛利率亦可能突破60%，公司整体毛利率水平已明显超越2017至2018年的历史峰值。
HBM需求持续旺盛，未来三年供不应求
HBM业务是本季度DRAM收入超预期的核心驱动。
SK海力士表示，未来三年HBM需求将远超其自身供给能力，公司将在HBM与传统DRAM之间保持产能的平衡配置。
在产品路线图上，HBM4将按客户时间表推进量产，但未披露具体时间节点；HBM4E已于2026年下半年进入客户送样阶段，计划于2027年正式量产。
出货量方面，第一季度DRAM出货量环比持平，低于伯恩斯坦原本预测中有所增长的判断；NAND出货量则环比下降约10%。
公司指引第二季度DRAM出货量将实现高个位数百分比增长，NAND出货量也将由跌转升，实现环比反弹。
资本支出大幅提升，产能扩张有序推进
SK海力士指引2026年全年资本支出将较上年显著增加，但未披露具体金额。
据伯恩斯坦预测，全年资本支出约为420亿韩元（约合420万亿韩元量级），高于2025年的275亿韩元。公司表示，支出将重点投向基础设施建设与战略性设备采购。
在具体产能规划上，位于龙仁的第一晶圆厂（Y1）第一期洁净室预计于2027年2月建成，规划用于DRAM生产，整体项目共规划六期。
NAND方面，SK海力士正通过技术升级实现产能扩充，计划于2026年底前将50%的国内产能迁移至321层堆叠工艺。
尽管第一季度资本支出环比有所下降，主要受季节性因素影响，但仍明显高于2025年大部分季度的水平。
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