HBM4与美股上市双催化,摩根大通上调SK海力士目标价至100万韩元

摩根大通将SK海力士目标价上调至100万韩元,AI内存需求增长与美股ADR上市是核心利好。凭借HBM4技术领先地位及产能扩张,预计未来盈利上调20%至25%。ADR上市有望收窄与美系同行的估值差距,吸引全球资本流入。报告建议关注1月底财报会关于HBM4及上市计划的最新进展。

摩根大通将SK海力士的目标价大幅上调至100万韩元。该行认为,AI内存需求的长期增长趋势未变,叠加潜在的美股上市计划,将成为推动股价上涨的双重催化剂。

据追风交易台消息,摩根大通Jay Kwon分析团队在16日的报告中维持了对SK海力士的“增持”评级,并将2026年12月的目标价从此前的80万韩元上调至100万韩元。分析师指出,未来3至6个月内强劲的定价动能将推动盈利预期上调,预计2026至2027财年的每股收益(EPS)将有20%至25%的向上修正空间。截至发稿,SK海力士股价上涨1.26%至765500韩元/股。

除了基本面的强劲表现,资本运作层面的新动态也成为市场焦点。据华尔街见闻此前文章,SK海力士在去年12月的一份监管文件中表示,公司正在"评估提升企业价值的各种措施,包括利用库存股在美国股市上市的可能性,但目前尚未最终确定"。摩根大通认为,ADR上市将是下一个关键事件催化剂,有望缩小其与美系同行的估值差距。

受益于HBM4技术领先地位的巩固以及传统存储周期的延长,摩根大通建议投资者累积头寸。该行基于2026年底的目标价设定,反映了对存储行业上行周期更强、更长的预期,给予其历史峰值市净率(P/B)30%的溢价。

HBM4与产能扩张巩固技术护城河

摩根大通分析师Jay Kwon在报告中指出,SK海力士近期宣布的19万亿韩元封装厂投资计划,重申了公司优先发展AI内存业务解决方案的坚定承诺。该计划针对新的PT7工厂,预计将于2028年开始大规模生产,旨在整合分散在多个工厂的后端封装和测试资源,并扩大生产能力。

尽管随着传统内存价格的大幅上涨,预计今年的HBM销售占比将暂时下降至30%(去年为38%),但摩根大通预测,这一比例将从2027年开始回升至39%,并在随后几年继续走高。

在技术路线上,摩根大通认为SK海力士将继续保持其市场份额和技术领先地位。尽管由于高基数效应和竞争对手的份额正常化,预计SK海力士的价值份额将小幅下降至略低于50%的水平,但在下一代HBM4/4E市场上,该公司仍将占据主要份额,从而支撑行业的高利润率表现。

强劲定价动能推动盈利预期上调

报告显示,服务器需求正在推动传统DRAM和NAND市场的上行空间。基于CoWoS模型的向上修正,摩根大通将2026至2027年的HBM潜在市场规模(TAM)预估上调了7-9%,并维持对多年上行周期的看涨观点。

基于此,摩根大通将SK海力士2026至2027财年的EPS预期上调了20-25%。新的目标价100万韩元基于2.7倍的市净率(P/B),这意味着相较于过去15年的历史峰值P/B有30%的溢价。分析师认为,鉴于纯内存业务具有更高的贝塔系数,基本面的改善将使SK海力士处于有利地位。

随着PT7新投资计划的反映,摩根大通将2026至2027财年的资本支出(Capex)预测上调至36-48万亿韩元,增量主要来自基础设施支出。尽管如此,隐含的资本密集度仍为20-23%,远低于2016至2025年平均33%的历史水平。

美股ADR上市:估值重塑的关键一步

SK海力士在美国上市的可能性被视为提升股东回报和重塑估值的重要途径。据报道,该公司已收到多家投行的提案,计划以ADR(美国存托凭证)形式上市约2.4%的流通股,相当于约1740万股。

SK海力士在去年12月的一份的监管文件中表示,公司正在评估利用库存股在美国股市上市的可能性,以提升企业价值。分析认为,通过ADR上市,SK海力士不仅能缩小与美光和台积电等同业的估值差距,还可能吸引仅投资美国上市股票的被动基金、ETF和纯多头基金的资本流入。

摩根大通在报告中指出,虽然SK海力士管理层表示若行业动态发生结构性转变,可能提前实施新的股东回报计划,但目前评估这一可能性为时尚早。相比之下,ADR上市是更为明确的下一个关键事件催化剂。

摩根大通建议投资者关注1月29日的财报电话会议,重点留意管理层关于HBM4认证、定价及利润率影响的评论。此外,长期协议(LTA)的讨论、各终端市场的供需看法更新,以及关于ADR上市相关的管理层立场,都将是市场关注的焦点。

 

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