美光科技正在亚洲全面加速构建高带宽内存（HBM）及下一代DRAM生产体系。从中国台湾铜锣的双厂扩建，到日本广岛万亿日元级别的新厂投资，再到印度古吉拉特邦封测基地的正式开幕，这家美国存储芯片巨头正以罕见的速度在亚洲多地同步推进产能布局。
美光于3月15日宣布正式完成对力积电（PSMC）铜锣P5厂区的收购，并同步披露将在同一园区启动第二期建设计划，新增约27万平方英尺洁净室空间，重点面向包括HBM在内的次世代DRAM生产，建设工作预计于2026财年末前启动。据路透社报道，这一双厂布局标志着美光在中国台湾的扩张进入新阶段。
与此同时，日本广岛工厂的扩建项目已于3月初进入土地开发阶段，推进速度超出初期预期，总投资约1.5万亿日元，日本政府承诺提供最高5360亿日元补贴；印度桑纳德的首座先进封装与测试工厂亦于2月28日正式开幕，满产后可贡献美光全球产出的约10%。
三地项目并行落地，折射出美光在AI存储需求强劲增长背景下，通过跨地区多点布局争夺HBM市场份额、分散供应链风险的战略逻辑。从建设启动到产能爬坡横跨多个财年，资本支出压力与政府补贴的组合效应将是投资者持续关注的核心变量。
铜锣双厂：收购落地，第二期建设提上日程
据美光新闻稿，此次收购的铜锣P5厂区现有约30万平方英尺的300毫米晶圆洁净室，公司计划最早于2028财年支持大规模产品出货，现有洁净室的改造工程已于本月启动。美光表示，该厂区将作为其台中垂直整合超级园区的延伸，两处设施相距约15英里。据报道，美光在中国台湾的业务以台中为核心，并在林口设有附属设施、在台南设有测试厂区。
在完成收购的同时，美光披露了第二期扩建计划：将在铜锣园区内新建规模相近的第二座工厂，新增约27万平方英尺洁净室空间，建设工作预计不晚于2026财年末启动，主要用于包括HBM在内的下一代DRAM生产。
广岛加速：土地开发先行，千亿补贴护航
据雅虎日本援引广岛电视台报道，美光存储日本广岛工厂西侧地块的土地开发工程已于3月初启动，涉及面积约9.5公顷，现场施工标识显示工期将持续至2028年2月。
据上述报道援引的知情人士，美光计划投资约1.5万亿日元，于2029财年前在广岛量产下一代DRAM及AI高性能内存，日本经济产业省将提供最高5360亿日元补贴。此前据日经新闻报道，美光原计划于2026年5月在东广岛园区内正式破土动工，目标于2028年前后启动HBM芯片出货。近期日本媒体的报道显示，该项目实际推进进度已超出初期预期。
美光于2月28日在印度古吉拉特邦桑纳德正式开幕首座先进封装与测试（ATMP）工厂。据商业标准报报道，该工厂满产后产能可达美光全球总产出的约10%，面向印度国内及国际市场双线供货，是美光亚洲产能版图中的重要新节点。
