SK集团董事长称存储芯片短缺将“持续到2030年”,海力士正考虑美股上市

SK集团董事长崔泰源警告,全球晶圆短缺将延续至2030年,缺口或超20%。HBM耗晶量庞大,新产能至少需4至5年才能释放。作为英伟达HBM最大供应商,SK海力士同步评估赴美发行ADR,并酝酿稳定DRAM价格新方案,动向牵动整条AI产业链神经。

全球芯片晶圆短缺问题短期内难以缓解,人工智能驱动的需求正持续压倒供给。

SK集团董事长崔泰源周一表示,全球芯片晶圆短缺局面预计将延续至2030年,短缺幅度可能超过20%。

与此同时,他透露SK海力士正在评估在美国发行存托凭证(ADR)的可能性,以拓宽全球投资者基础。

上述表态发出之际,SK海力士作为英伟达高带宽内存(HBM)的核心供应商,正处于AI芯片需求爆发的核心位置。崔泰源还暗示,该公司CEO即将公布一项稳定DRAM价格的新计划,引发市场关注。

晶圆短缺或延续至2030年,20%缺口压力持续

崔泰源在英伟达GTC大会期间于加利福尼亚州圣何塞接受记者采访时解释,HBM生产对晶圆的消耗量极大,而新增产能的建设周期至少需要四到五年,这是短缺难以迅速消除的根本原因。

"AI实际上需要大量HBM,而一旦生产HBM,就必须消耗大量晶圆,"崔泰源说,"我们需要时间来扩充晶圆产能,至少四到五年。当前的短缺可能持续到2030年,我们预计晶圆短缺幅度将超过20%。"

据Counterpoint数据,SK海力士在HBM市场占有率达57%,位居全球第一,同时以32%的份额占据全球DRAM市场第二位。在AI算力需求持续扩张的背景下,晶圆供应瓶颈对整个产业链的影响不容忽视。

在DRAM价格稳定问题上,崔泰源表示公司正在制定相关策略,但未披露具体细节,仅表示CEO将适时公布新方案。此外,他提及中东局势紧张推高了能源价格,集团正积极寻求替代能源来源以应对成本压力。

海力士评估美国ADR上市,美国建厂仍面临多重制约

崔泰源表示,SK海力士正在研究赴美发行ADR的可行性。他指出,此举有助于将公司股东基础从韩国扩展至美国及国际投资者,从而提升公司的全球影响力。

在美国扩产问题上,崔泰源态度审慎。他表示,在海外建立芯片制造工厂需要充足的电力、水资源、建设条件以及工程技术人才,这些条件无法按需快速满足。他强调,公司目前的生产重心仍在韩国本土。

SK海力士的大量客户位于美国,但崔泰源的表态显示,短期内大规模赴美建厂的可能性有限,产能扩张节奏将受制于基础设施与人才等现实条件。

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