传言内存降价与实际供应情况不符!创见董事长:内存缺货严重,今年难以缓解

创见董事长指出:公司与三星、美光等主要供应商实际交易中并未出现内存价格松动情况,今年第二季DDR5价格仍比第一季上涨40-50%,且采购需求量也没法完全满足。内存建厂扩产周期长,预计今年内供应紧张局面难以缓解。

内存模组厂创见董事长束崇万表示,当前DRAM与NAND闪存市场处于严重缺货状态,AI需求激增是主因,预计今年内供应紧张局面难以缓解。

束崇万周三在投资者交流会上指出,今年第二季DDR5价格较第一季上涨40%-50%,且采购需求仍无法完全满足。

他强调,市场传言内存价格出现松动,与三星、美光等制造商的实际供应状况不符,目前供给缺口大,客户几乎每天都在催货。

束崇万明确表示,"DDR4供给缺口越来越大,闪存供给缺口也肯定会越来越大"。面对供应短缺,创见已采取选择性支持客户的策略,无法满足所有客户需求。对于依赖内存模组供应的下游厂商而言,采购压力将持续累积。

扩产难以短期兑现,供应端改善遥遥无期

尽管市场流传部分供应商扩产的消息,束崇万认为这不足以缓解近期供需矛盾。

他指出,三星、美光、海力士等主要DRAM厂商在未来一年内难以完成扩产,原因在于建厂周期较长——三星曾表示建厂至少需要两年,而部分关键设备的订单交货周期已长达一年半。这意味着欧美制造商短期内增产的可能性极低。

对于中国内存厂商的扩产计划,束崇万表示,预计今年内难以实现,明年产能能否真正释放,市场传言众多,但"真实性难以判断"。他综合供应商提供的信息判断,今年DRAM与NAND闪存的缺货状况均难以改善。

AI与边缘计算叠加需求,内存争夺全面升温

束崇万将此轮极端缺货的根本原因归结于AI需求的急剧扩张。

他表示,AI的崛起使得任何搭载CPU的设备都必然需要DRAM与闪存,同时边缘AI与自动化设备也在争夺内存资源,导致全面性的抢货现象。他认为,DRAM与闪存自去年9月起进入极端缺货状态,AI需求是关键驱动因素。

工业自动化和嵌入式应用的内存需求也在逐步增加,进一步加剧供需矛盾。对于通过技术手段降低内存需求的可能性,束崇万认为效果有限,并指出HBF技术的推出将增加而非取代对闪存的需求,且其应用场景与HBM不同。

MLC产品供应收紧,创见提前完成最后采购

在NAND闪存产品结构方面,束崇万披露,创见目前产品组合中SLC已无人使用,MLC约占10%,TLC约占90%。

值得关注的是,MLC的主要供应商Kioxia与SanDisk已相继宣布退出或停产MLC产品,预计将使该细分市场供应更趋紧张。

对此,创见已提前应对。束崇万表示,公司去年已针对工业应用的MLC产品完成"最后一次采购",向三星、SanDisk等制造商锁定了足以满足至今年底需求的库存,确保现有客户供应不受影响。

坚守制造商直采模式,不参与现货市场投机

在采购策略上,束崇万强调,创见的经营模式几乎只与制造商直接交易,不参与价格波动剧烈的现货市场,以规避次级品、水货及降级品的风险。

他指出,与制造商交易虽然价格同样上涨,但供应更为稳定,且价格调整周期较长,为每月或每季度,而非每日波动。

束崇万同时表示,公司与供应商签有长期协议,但在极端缺货环境下,即便如此也无法保证完全满足供应。他明确表示不认同赚取投机性利润,未来将持续专注于提升服务价值、生产效率和管理绩效。

面对供应压力,下游客户已普遍采取降规格应对策略,例如将16GB内存改为8GB,或将256GB存储缩减为128GB,以控制采购成本。

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