存储现货市场观望加剧:DRAM卖家惜售,DDR4小幅下跌,NAND延续跌势

存储芯片现货市场卖方等待四月中旬合约价格公布以调整报价;买方受制于终端需求疲软与成本管控,普遍不愿高位囤货;市场成交量持续萎缩。DRAM方面,主流芯片DDR4 1Gx8 3200MT/s均价本周小幅下滑0.48%;NAND闪存方面,512Gb TLC晶圆现货价格本周跌幅扩大至3.13%。

存储芯片现货市场整体陷入僵局。供应商静待四月中旬合约价格官宣,买方因终端需求疲软持续压缩采购,多重因素叠加导致交投持续低迷,DRAM与NAND现货价格双双承压。

据集邦咨询(TrendForce)最新现货价格追踪报告,主流DRAM芯片DDR4 1Gx8 3200MT/s现货均价本周小幅下滑0.48%,由上周(4月8日)的33.56美元降至本周(4月14日)的33.40美元。

NAND闪存方面,512Gb TLC晶圆现货价格本周(4月13日)跌幅扩大至3.13%

两大细分市场的走势均指向同一症结:终端消费需求复苏动能不足,买卖双方均不愿率先打破僵局,市场成交量持续萎缩。

DRAM:供应商惜售候价,买方拒绝高位建库

DRAM现货市场本周受季末效应与假期因素影响,交投气氛明显趋淡。

供给端整体策略保守。多数现货卖方选择按兵不动,等待DRAM原厂于四月中旬发布的官方合约定价,以此作为调整报价的参考依据。仅有少数卖家因资金周转压力零星下调报价,但未能有效激活市场需求。

需求端同样缺乏主动意愿。终端消费市场需求回暖力度不足,采购方严格管控成本,普遍不愿在当前价位高位囤货,导致整体需求端表现被动,成交量持续收缩。

NAND:卖方迫于资金压力让价,价格继续下跌

NAND闪存现货市场本周延续上周格局,交易整体偏向谨慎。

买方持续受制于高价位,多数持观望态度,入市意愿有限。卖方一方面期待合约价格上涨带动市场好转,另一方面部分卖家迫于资金压力,选择妥协降价以完成交割,但整体市场动能并未出现明显改观。

512Gb TLC晶圆现货价格本周跌幅达3.13%,反映出在供需双方均缺乏明确方向指引的情况下,NAND现货价格仍面临下行压力。

短期展望:合约定价窗口临近,市场等待方向信号

综合两大市场表现来看,四月中旬DRAM原厂合约定价的官方公告,将成为短期内影响现货市场走向的关键变量。

若合约价格如卖方预期出现上调,或有助于提振市场信心,推动买卖双方重启谈判;反之,若定价低于预期,则可能进一步加剧现货端的抛售压力。

在官方定价落地之前,买卖双方的观望情绪预计仍将主导市场,成交量难以出现实质性回升。

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