经历一系列挫折后，三星正在迎头赶上，试图挑战SK海力士在HBM（高带宽内存）芯片市场中的霸主地位。
7月30日，据媒体援引知情人士报道，在抢夺HBM市场方面三星取得重大进展，公司一款HBM3芯片获得AI巨头英伟达的认证。三星预计，公司下一代HBM3芯片也将在2-4个月内获得批准。大摩分析师也极力看好三星股价，他们认为到明年三星至少再抢占10%HBM市场，届时收入将激增。
这一结果，三星盼了许久。据悉自2023年以来，三星一直在努力通过英伟达对HBM3和HBM3E等产品的认证。
今年早些时候，有关三星HBM没能经过英伟达验证、三星HBM良率过低等讨论出现在多家媒体报道中。三星也迟迟没有拿到英伟达的订单。英伟达目前拿下全球AI GPU市场超过80%的市占率，打入英伟达的HBM供应链极为重要。
然而，三星的对手SK海力士却一直是英伟达HBM芯片的最大供应商。AI浪潮中英伟达挣得盘满钵满，SK海力士的业绩也是水涨船高。
尽管三星是业内最大的内存芯片制造商，但在HBM领域，它却落后于全球第二大内存制造商SK海力士。据市场研究公司TrendForce称，SK海力士去年以53%的市场份额在HBM市场领先，其次是三星电子（38%）和美光（9%）。
不过，三星正在奋力扭转这一局面。
大摩：2025年，三星的HBM市场份额至少会增加10%
据摩根士丹利的报告，HBM市场规模预计将从去年的40亿美元增至2027年的710亿美元。三星越快得到AI巨头英伟达的支持，它从这一增长中获得的收入就越多。
“投资者对三星的看法可能很快就会改变，情况正在迅速改善。”摩根士丹利分析师Shawn Kim和Duan Liu在本月的一份研究报告中写道。
这两位分析师在报告中将三星列为首选股票，因为他们认为，到2025年，三星的HBM市场份额至少会增加10%，收入将增加约40亿美元。
当前，微软、谷歌、亚马逊、苹果和Meta等一众科技巨头正在加大对AI的投入，未来HBM的市场需求必定激增。Sanford C. Bernstein的分析师在7月的一份报告中表示，英伟达将在2025年之前几乎所有产品中继续使用HBM3E，芯片竞争对手甚至在2026年也将继续使用。
根据季度报告中的详细信息，三星自去年下半年以来一直在生产HBM3芯片。知情人士称，三星已开始向英伟达供应HBM3，用于其H20芯片。
改变落后局面，三星一举撤换半导体领导人
在HBM等领域的落后也促使三星撤换了半导体领导人。今年5月，拥有丰富经验的Jun Young-hyun临危受命，承担存储巨头研发和向英伟达出售HBM芯片的重任。
据悉，当时三星HBM出现散热与功耗问题。消息人士称，三星在解决所谓的热耦合问题上遇到了麻烦。HBM由一组DRAM芯片堆叠而成，最新一代堆叠高度达到八层。每一层都会产生大量热量，然后与英伟达的GPU相配合，而GPU本身可以达到100摄氏度。没有适当的散热和冷却材料，整个堆栈有融化的风险。
Jun Young-hyun担任三星半导体领导人后，积极寻找上诉问题的解决方案。这位63岁的高管召集了一系列会议，探讨技术细节并找出问题的根源。
最终，三星公司修改了HBM设计以解决散热和功耗问题。消息人士称，这导致了三星HBM3获得英伟达的批准。
三星表示，自Jun Young-hyun接任以来，公司优先考虑了集体讨论和解决问题的文化。公司补充称，其HBM产品在散热和功耗方面没有问题，且并未为特定客户进行设计更改。
“我们从未见过三星处于这种境地”，研究公司Tirias Research的分析Jim McGregor说道，“业界和英伟达比任何人都更需要三星，但他们需要三星全力以赴”。
“霸主”SK海力士并未松懈，三星道阻且长
当下，三星的竞争对手SK海力士并未松懈。作为英伟达HBM芯片主要供应商，SK海力士股价自2023年初以来飙升了超过150%，是三星股价表现的三倍多。
上周，SK海力士表示正在加快生产HBM3E产品，以实现超过300%的增长。公司还表示计划在本季度开始大规模生产下一代12层HBM3E芯片，并在第四季度开始向客户供应。
另外，美光科技今年早些时候宣布，英伟达已批准其HBM3E芯片用于公司的AI设备。美光和SK海力士的夹击之下，三星压力山大。
不过，分析称，三星拥有一个显著优势，即其财务资源和生产能力。一旦满足英伟达的批准标准，三星可以快速提升产量，解决困扰英伟达和其他AI支持者的短缺问题。
分析师Silverman表示：“美光和海力士目前没有能力支持整个市场。”英伟达首席执行官黄仁勋希望鼓励各家HBM供应商，因为市场需要更多的供应。知情人士表示：“英伟达正在向SK海力士施压，要求其增加供应量，但随着HBM3E和上一代HBM3的投产，可用产能已接近饱和。”
在Jun Young-hyun的领导下，三星正在取得进展。公司开发了自己的12层HBM3E技术，并正在努力获得英伟达对该代芯片以及8层HBM3E的批准。
