海力士:12层HBM3E率先开始量产

消息公布后,SK海力士股价大涨超8%。分析称,由于英伟达的Blackwell Ultra和轻量级型号B200A已确定引入HBM3E 12H,对海力士、三星和美光来说,确保在该产品领域的领先地位至关重要,下半年HBM市场的格局将取决于谁先向英伟达提供HBM3E 12H。

受AI需求提振,SK海力士率先量产12层HBM3E。

9月26日周四,SK海力士宣布,公司已开始量产12H(12层堆叠)HBM3E芯片,实现了现有HBM产品中最大的36GB容量;公司将在年内向客户提供该产品。

消息公布后,SK海力士股价持续上涨,截至发稿大涨超8%。

HBM3E 12H成供应商下半年主要战场

HBM(高带宽存储器)是GPU的关键组件,有助于处理复杂应用程序产生的大量数据,芯片垂直堆叠技术可以在节省空间的同时降低功耗。

目前,HBM的主要制造商只有三个——SK海力士、美光科技和三星电子。其中,三星电子于今年2月首次推出了HBM3E 12H。

考虑到英伟达决定将HBM3E 12H纳入Blackwell Ultra和轻量级型号B200A,该产品成为下半年AI半导体领域的关键战场。

有观点认为,今年下半年对于确定HBM市场的未来格局至关重要。是SK Hynix能保持其领先地位、还是三星电子扭转颓势,将取决于谁先向英伟达提供HBM3E 12H。

一位业内人士评论道:

“即使HBM3E 12H的价格可能因竞争加剧而略有下降,但下半年显然是决定HBM市场格局的时候了。”

“关键是每个企业的良品率(良品率)能够提高多少。”

有媒体透露,SK海力士一直是英伟达HBM芯片的主要供应商,已于3月底向一不具名客户提供了HBM3E。

尽管需求仍旺盛,但大摩警告供应过剩风险

据介绍,SK海力士的HBM3E 12H堆叠了12层3GB DRAM芯片,厚度与之前的8层产品相同,容量增加了50%。为了实现这一目标,该公司使每个DRAM芯片比以前薄40%,并使用硅通孔(TSV)技术垂直堆叠。

公告还表示,HBM3E 12H的内存操作速度已提高至9.6Gbps,这是业内目前可用的最高内存速度。如果在搭载四个HBM3E的GPU上运行Llama 3 70B大语言模型的话,可以实现每秒可读取35次700亿个整体参数的水平。

据媒体此前估算,相比于8层堆叠,HBM3E 12H的AI训练速度平均提高34%,同时推理服务用户数量也可增加超过11.5倍。

此外,公司将通过其核心技术先进MR-MUF工艺的应用,使HBM3E 12H的散热性能较上一代提升了10%,并增强了控制翘曲问题,从而确保稳定性和可靠性。

公司表示,率先量产12层HBM3E,是为了满足AI企业日益增长的需求。SK海力士总裁兼公司AI基础设施负责人Justin Kim表示:

“SK海力士再次突破了技术限制,展现了我们在AI内存领域的行业领先地位。”

“我们将继续保持全球最大人工智能存储器供应商的地位,稳步准备下一代存储器产品,以克服人工智能时代的挑战。”

不过,此前大摩发布研报警告“内存凛冬将至”HBM供应过剩可能即将上演,DRAM等也已出现严重供需失衡。

大摩预计,到2025年,HBM当前供应链中的“良好”供应(即高质量且充足的产品)可能会逐渐赶上甚至超过当前被高估的需求量。

在此基础上,大摩对SK海力士进行了“双重降评”,在下调评级至“减持”的同时,“腰斩”其目标价,从26万韩元直接下调至12万韩元,导致公司股价当日一度暴跌11%。

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