据韩媒报道，NVIDIA 委托三星、SK 海力士和美光开发SoCEM 内存模组，出乎意料的是美光竟是第一家获得量产批准的公司，速度比三星、SK 海力士更快。
据了解，新的 SoCEM 标准是由 NVIDIA 构思的内存模块，由 16 个堆叠的 LPDDR5X 芯片组成，每 4 个一组，其主要作用是提供辅助支持，以确保 AI 加速器达到最佳性能。我们有望在 NVIDIA 的下一代 AI GPU Rubin 中看到 SoCEM 的身影，该 GPU 将于 2026 年推出。
与通过垂直钻孔连接 DRAM 的 HBM 不同，SoCEM 采用引线键合技术制造，用铜线连接 16 个芯片。铜具有高导热性，其主要优势在于最大限度地减少每个 DRAM 芯片的发热量。美光公司表示，其最新低功耗 DRAM 的功率效率比竞争对手高出 20%。
NVIDIA 的下一代 AI 服务器（搭载 Rubin AI GPU 和 Vera CPU）将使用 4 个 SoCEM 内存模块，按 LPDDR5X 内存芯片数量计算，总计将达到 256 个。新报告补充道，业界指出，美光公司之所以能够比 SK 海力士或三星更早地供应 SoCEM 内存芯片，是因为美光公司较晚采用 EUV 光刻设备。
业界认为，美光较晚采用极紫外光（EUV）曝光设备，反而早于三星与SK 海力士供货，这意味着，美光通过其设计结构的创新使用了低发热量技术，同时提高了内存性能，实现了双赢。
不只是SoCEM，美光在多项技术升级都显示技术实力提升。据传，在今年三星的Galaxy S25 系列中，美光供应大部分初期的低功耗DRAM，超越三星自家半导体产品，也是美光首次成为三星智能手机的「主要内存供应商」。此外，美光早在2022 年就率先开发出全球首款LPDDR5X，并将其导入iPhone 15 系列。
业界预期，美光将藉由其低热量产生的技术，进一步扩大其HBM 市占率，因为堆叠的DRAM 芯片数持续增加，而堆叠本身就会带来热的问题。目前三大内存厂商预计下半年开始量产12 层堆叠HBM4、明年上半年推出16 层堆叠HBM4。
一间设备厂业者透露，虽然美光进入HBM 市场较晚，但凭借其散热管理技术，以及作为美国企业的地缘优势，随时都可能迎头赶上。该公司目前在新加坡、日本广岛、美国纽约，以及中国台湾建设HBM 厂，使得公司今年资本支出高达140 亿美元，这也令业界猜测是否已经从主要客户取得稳定订单。
本文来源：半导体行业观察，原文标题：《美光，跑赢三星海力士》
