三星公布首批2纳米芯片性能数据，加速追赶台积电

三星电子正通过公布其下一代芯片制造技术的具体性能指标，加大对行业领导者台积电的追赶力度。

据媒体报道，三星电子首次公布了其即将推出的2纳米芯片工艺的首批性能数据。首代2纳米工艺采用了全栅极环绕（GAA）晶体管技术，相比第二代3纳米工艺，性能提升5%，功耗效率提高8%，芯片面积缩小5%。

这一发布标志着三星的2纳米蓝图从概念性描述转向了具体的规格展示，意在向市场和潜在客户证明其技术实力。

目前，全球晶圆代工市场格局高度集中。台积电掌控着超过70%的市场份额，而三星的份额约为7%。大多数分析师预计，鉴于台积电在高产量、生产稳定性以及满足AI加速器和数据中心芯片强劲需求方面的优势，其领先地位短期内难以动摇。

然而，市场动态正在发生微妙变化。报道指出，由于台积电的先进工艺产能持续紧张，部分客户开始寻求替代方案，这为三星创造了机会。三星晶圆代工业务正因此吸引到来自大型科技公司和初创企业的订单，客户基础得以拓宽。

据相关行业消息，三星近期已开始为美国人工智能初创公司Chaboraite生产基于4纳米工艺的处理器芯片。此外，三星还在2纳米工艺上与特斯拉等公司展开合作。

韩国业内人士认为，尽管台积电目前占据绝对优势，但从2纳米节点开始，全球晶圆代工市场的竞争可能会加剧。